Электронные запоминающие устройства работают по принципу остаточного заряда на накопителях, главная проблема — постепенная потеря возможности у отдельных элементов менять своё состояние. Российские учёные нашли способ отслеживать этот процесс и прогнозировать время сохранения заряда
Физики из МФТИ предложили новый способ изучения сегнетоэлектрических плёнок, чтобы понять, почему они теряют свои свойства при повторном воздействии электрического поля. Сегнетоэлектрики — это материалы, которые имеют два состояния поляризации и используются в создании элементов памяти компьютера. Однако, при многократной перезаписи этих материалов, некоторые домены теряют способность переключаться. Для выяснения причин такого разрушения необходимо эффективное наблюдение за доменами и их переключением.
Учёные предложили альтернативный подход для изучения доменной структуры сегнетоэлектрических плёнок с использованием метода наведённого тока. Они применили этот метод с помощью растрового электронного микроскопа. Обнаружено, что при облучении образца электронным пучком возникает наведённый ток, который зависит от физических характеристик доменов. Таким образом, исследователи могут быстро и точно восстановить доменную структуру образца, основываясь на силе и направлении тока.
В исследовании учёные изучали доменную структуру плёнки смешанного оксида гафния-циркония. Они применяли внешнее напряжение к образцу, чтобы изменять поляризацию доменов и наблюдать их переключение. С использованием метода наведённого тока физики могли быстро и точно восстановить доменную структуру образца. Этот подход оказался более эффективным по сравнению с традиционным методом микроскопии пьезоотклика.
Исследователи надеются, что предложенный метод поможет решить проблему потери свойств сегнетоэлектрических плёнок, особенно в ячейках памяти. Их целью является понимание причин этого разрушения и разработка путей его решения. Использование метода визуализации доменов позволит микроскопически изучать происходящие процессы в плёнках при повторной перезаписи.
